YTM32系列MCU Flash模块功能详解
Flash（闪存）是一种可擦除的只读存储器，按照实现方式和运行特性Flash一般还会分为NOR和NAND两种。其中NOR Flash支持随机地址的读取方式，在读取操作上类似于RAM，比较适合程序的直接读取运行，而NAND Flash读取是基于页的方式，一般无法随机读取。在MCU中，Flash需要支持程序和数据的存储，所以实现方式上也都是NOR Flash。
基本特性
YTM32系列MCU中Flash的控制是通过EFM(Embedded Flash Module)控制的，这里以ME0x系列MCU为例，EFM模块支持如下的一些功能：
- 512KB * 2 的程序存储区域，带有ECC功能，Sector大小为2K
- 256KB 单独的数据存储块，带有ECC功能，Sector大小为1K
- 4KB的NVR区域，带有ECC功能，Sector大小为1K
- 支持Flash按区域（16KB单位）的写保护功能
- 支持调试器禁用
- 支持Flash命令执行结束和异常中断
- 支持Block Swap的OTA升级功能
- 支持ECC错误地址记录和单比特、多比特中断
- 支持OTP（One Time Program，一次可编程）区域
- 支持HCU 密钥存储（可擦写，不可读取）
- 支持块擦除、扇区（sector）擦除和整个chip的擦除操作
- 写入页大小为8Bytes
Flash的基本术语约定
为了便于理解，这里整理一下Flash使用中常用的一些基本术语：
- PFlash，程序Flash，实际也可以保存数据，属于基于应用场景的一种约定名称
- DFlash，数据Flash，实际也可以运行程序，同样属于基于应用场景的一种约定名称
- Block，Flash块，表示物理上的一个Flash块，不同物理块的flash可以支持Read While Write(RWW)特性
- Sector，扇区，这个是Flash擦除的最小单位，属于Flash的物理特性，软件无法修改
- Page，Flash 编程的最小单位，同样属于Flash物理特性，软件无法修改
- RWW，Read While Write，指的是Flash在运行擦除或者编程操作时候支持Flash的读取操作
- ECC校验，纠错算法的一种，可以纠正单比特错误，检测多比特错误
Memory Map定义
这里以ME0x为例，芯片系统存储的memory map如下
| Name | Start Address | End Address | Size(KB) | Block | Protect |
|---|---|---|---|---|---|
| PFlash0 | 0x0000_0000 | 0x0007_FFFF | 512 | 0 | ADDR_PROT0 |
| PFlash1 | 0x0008_0000 | 0x000F_FFFF | 512 | 1 | ADDR_PROT1 |
| DFlash | 0x0010_0000 | 0x0013_FFFF | 256 | 2 | ADDR_PROT2 |
| AES_NVR | 0x1000_0000 | 0x1000_03FF | 1 | 0 | No Read + Customer Key |
| OTP_NVR | 0x1001_0000 | 0x1001_03FF | 1 | 0 | No Erase |
| BOOT_NVR | 0x1002_0000 | 0x1002_03FF | 1 | 1 | SWAP CMD only |
| CUS_NVR | 0x1003_0000 | 0x1003_03FF | 1 | 1 | Customer Key |
上述表格中PFlash0和PFlash1是用于存储用户程序的，当使用OTA功能的时候，这两个Block可以通过物理地址的重映射互换，实现应用升级。
AES_NVR主要用于保存HCU中使用的密钥，该部分占用1KB空间，可以实现32*256Bit的密钥存储。该部分区域支持用户的Program和Erase，但是不支持读取操作，可以保证密钥的安全。当HCU需要使用密钥的时候，软件可以直接调用Flash的命令将需要用到的Key直接load到HCU中使用，整个过程软件只能选择key而不能读取或者修改key。注意program和erase AES key区域需要用customer key解锁。
OTP_NVR该部分可以用于保存一次可编程数据，OTP（One Time Program)区域的特点是只能一次program，不支持擦写和重新program。应用中可以在该部分保存一些产品ID信息或者其它不能希望后续修改的信息。注意该部分的读取并没有限制。
BOOT_NVR这部分用来保存和OTA升级相关的数据，软件应该避免对该区域进行操作，需要使用OTA Swap功能的时候，软件需要发送SWAP命令实现Flash的Block Swap。
CUS_NVR这部分区域包含Flash擦写保护配置和Debugger禁用Tag，用户可以向该区域的特定地址program特定值来实现对Flash的擦写保护和调试端口禁用。CUS_NVR的剩余部分是用户可以自由使用的，对CUS_NVR的读写操作需要先通过写入customer key来解锁。
Flash的读写擦操作
读取、写入和擦除是Flash的基本操作，Flash的特性是擦除之后bit变成1，写入操作是将相应的bit改写成0，不过因为有ECC的限制，YTM32系列MCU都不支持Reprogram，也就是不支持Flash 页数据有非1情况下的页编程，EFM模块在执行Program命令之前会先从Flash中读取页数据并验证数据为全1，验证失败则该页无法编程。
另外Flash的物理块同一个时间只能执行读取、写入或者擦除的任一操作，这就限制了我们在对一个物理块（Block）进行写入或者擦除操作时候不能读取Flash内容。这也意味着Flash在执行写入或者擦除的时候，处理器不能从Flash中继续读取程序执行代码，否则EFM模块会直接产生bus error（M0+中对应为hardfault）。这也是L系列MCU在进行Flash操作（包括DFlash）的时候必须关闭中断的原因。
在ME0x MCU中总共有3个物理Block，在使用过程中，按照上述原则，处理器在不能对同一个block同时进行读写操作，所以典型的使用方式有如下几种：
- PFlash0和PFlash1用于保存程序和运行数据，DFlash用于保存Bootloader程序和模拟EEPROM的代码，这样在boot模式下，软件可以直接对两块PFlash进行读写操作而不必禁用系统中断；而在应用软件运行过程中，软件可以直接操作模拟EEPROM区域而不必禁用系统中断。
- 在上述配置的基础上使用OTA功能，PFlash0和PFlash1分别保存一套程序代码，通过SWAP指令决定下次复位之后从哪个block启动。当使用OTA功能的时候，当前Block运行的程序可以直接对另一个Block的Flash进行擦写操作而不用关闭中断，因为这个时候软件是不会跳转到另外一个block运行的，当然如果软件在操作另外一个block的时候，同时对这个block进行读操作也是不允许的。
当前EFM设计中，为了方便软件使用，对于Flash的编程操作是直接将数据写入Flash对应的地址（数据都需要4字节对齐），EFM模块会从写入操作捕获写入操作的地址和数据信息。在这种设计下，软件对Flash地址的写操作并不会产生错误，这个和Flash不支持直接写操作是有一定冲突的，所以严格来说软件需要通过MPU模块对不需要编程的Flash进行禁止写操作保护。注意Flash的写保护操作只能保护Flash内容不被擦除和重新编程，处理器直接对这些地址进行写操作的时候，EFM模块并不会报错，只有软件Launch了扇区擦写（Sector Erase）或者页编程（Program）命令的时候，EFM模块才会检查当前区域时候被保护，如果为保护区域，EFM会abort命令并返回access error错误。
Flash command流程
对于Flash的操作都是基于Command来操作的，ME0x支持的command列表如下：
| Code | Description | Need Address |
|---|---|---|
| 0x02 | Program 64 bits | Y |
| 0x03 | Program 64bits and read back verify | Y |
| 0x10 | Sector erase | Y |
| 0x11 | Sector erase and verify | Y |
| 0x12 | Erase block (only main array) | |
| Y | ||
| 0x13 | Erase block and then verify (only main array) | Y |
| 0x1E | Erase chip | |
| N | ||
| 0x20 | Load AES Key | |
| N (Y in MD1) | ||
| 0x30 | Boot Swap | |
| N | ||
| 0x40 | Program NVR | |
| Y | ||
| 0x41 | Erase NVR | |
| Y | ||
| 0x42 | Read NVR | Y |
以Flash Program为例，Program一个64 bits并verify的command流程如下：
- 确认EFM的Prescaler参数设置正确
- 跳转到RAM中执行代码，并根据需要决定是否需要关闭全局中断
- 读取EFM_STS寄存器，判断当前EFM是否正在执行命令
- 向需要PROGRAM的flash地址写入64bit长度数据
- 写
0xfd9573f5到EFM_CMD_UNLOCK解锁FLASH command - 写0x03到EFM_CMD开始执行command
- 轮询读取EFM_STS寄存器等待命令执行结束
- 读取EFM_STS验证command执行结果
EFM寄存器介绍
EFM对Flash的所有操作都是通过寄存器接口实现的，这里对EFM寄存器的主要域做一个简单介绍。
CTRL寄存器
CTRL寄存器用于配置EFM操作的基础配置，比如低功耗模式是否关闭Flash，选择HCU的KEY，EFM模块的时钟基准，是否开启数据预取加速，数据读取的等待周期和各种中断源的开关。
AES_KEY_SEL用于选择load到HCU中AES key的ID，这个操作后续都换成Flash 命令操作了，仅在ME0x中有该域。
PRESCALER是Flash操作的一个基础分频，软件初始化的时候需要将PRESCALER设置为主频/2MHz，比如Core时钟为120MHz，那么$PRESCALER=120MHz/2MHz=60$，EFM模块会根据这个值来产生program和erase的时间，如果这个值设置不准确（主要是偏小）可能会导致Flash编程或者擦除异常。SDK中在时钟初始化的时候自动适配该值。
RWS是Flash读操作的等待周期，ME0x中Flash的最高频率是40MHz，当主频为120MHz时候，$RWS=(120MHz/40MHz)-1=2$，RWS设置过大会导致系统性能下降，过小则会导致Flash读取数据异常。RWS通过时钟的.flashDiv = *SCU_SYS_CLK_DIV_BY_3 配置，SCU_SYS_CLK_DIV_BY_3* 表示3分频，RWS=2。
STS寄存器
STS寄存器保存了Flash操作的状态信息，包含Flash当前是否在执行命令，当前的启动Block，Flash命令的执行结果和错误原因以及ECC错误的标志位。
CMD寄存器
软件通过向CMD写入命令来启动flash的相关操作，为了保护CMD不被意外触发，对CMD操作之前需要向CMD_UNLOCK寄存器写入0xfd9573f5来解锁，解锁后软件必须立即写入CMD而不能进行其他寄存器访问，否则CMD会产生Access Error。
TIMING1和TIMING2寄存器
这两个寄存器是用来做Flash命令的时序微调，当CTRL_PRESCALER域正确配置时，这两个寄存器保持复位值就可以了，错误的修改这两个值会导致Flash擦写异常。
NVR_ADDR和NVR_DATA
这一组寄存器用来传递NVR操作的地址和数据信息。
ADDR_PROT寄存器
ADDR_PROT是一组寄存器，ME0x中是3个32位的寄存器，每个寄存器保护一个block，ADDR_PROT的所有bit只能由1写0，bit为1表示对应区域是未保护的，为0则表示对应区域不能进行擦除和写入操作，ADDR_PROT上电时会自动从CFG_NVR的特定地址载入。
ADDR_PROT0：定义了Block0（PFlash0）的保护区域，每个bit保护16KB。
ADDR_PROT1：定义了Block1（PFlash1）的保护区域，每个bit保护16KB。
ADDR_PROT0：定义了Block0（DFlash）的保护区域，每个bit保护8KB。
ECC_ERR_ADDR寄存器
该寄存器保存了发生ECC错误的地址，软件可以配合ECC错误的STS标志实现对Flash ECC错误的定位。
Flash操作时间
软件应用中对于Flash的编程和擦写的时间一般比较敏感，这里将Flash一些基本操作的时间列举如下：
| 操作 | M系列 | L系列 |
|---|---|---|
| Sector Erase | 16ms | 4.5ms |
| Block Erase | 16ms | 35ms |
| Chip Erase | 16ms | 35ms |
| Page Program | 45us | 50us |
因为Flash操作时间和Prescaler和TIMING寄存器配置有关，上述表格的数据是在Prescaler正确配置和TIMING保持默认值下的数据。
M系列擦除的时间都是16ms，Flash array支持多扇区同时擦写，所以整个block甚至整个芯片的擦除时间都是16ms，当采用erase retry的擦除方式时，EFM会按照800us的周期对flash进行擦除尝试，这种方式下擦写的时间是800us～16ms。Erase retry仅支持单个sector的擦写。
L系列因为只有一个Block的缘故，Block Erase和Chip Erase并没有什么区别，也不支持erase retry功能，另外L系列的Dflash实际和Pflash属于相同的block，所以对Dflash进行擦写操作时候，也不支持对PFlash进行读操作。因此用Dflash模拟EEPROM的时候还是需要禁用系统中断的。
调试禁用和Flash保护
为了保护用户的软件代码，ME0x系列支持通过Flash禁用芯片调试端口，这个过程是在芯片初始化过程中通过硬件实现的。同样为了避免程序在运行过程中对Flash进行意外操作，Flash同样支持基于地址的擦写保护，应用程序可以根据实际应用需求限制。
在YTM32B1ME0x中，CUS_NVR的起始地址是0x1001_0000U ，这部分NVR区域中数据定义如下：
| Region(32bits) | Address | Description |
|---|---|---|
| Debugger Disable Tag 0 | 0x10010000 | TAG=0x5a5a5a5a Disable debugger |
| Debugger Disable Tag 1 | 0x10010004 | TAG=0x5a5a5a5a Disable debugger |
| PROT0 Tag | 0x10010008 | TAG=0x5a5a5a5a |
| PROT0 Value | 0x1001000C | ADDR_PROT0 Init value |
| PROT1 Tag | 0x10010010 | TAG=0x5a5a5a5a |
| PROT1 Value | 0x10010014 | ADDR_PROT1 Init value |
| PROT2 Tag | 0x10010018 | TAG=0x5a5a5a5a |
| PROT2 Value | 0x1001001C | ADDR_PROT2 Init value |
| User NVR | User can use other left space |
因为NVR区域的页大小也是8 Bytes（64bits），实际单次至少写入两个words。比如当希望在上电后禁用调试端口，那么只需要向0x10010000U地址写入0x5a5a5a5a, 0x5a5a5a5a，那么下次芯片复位之后调试端口默认就不会开启了。
PROT相应的tag和value也是一起编程的，当tag匹配的时候，下次上电对应的value就会自动load到相应的寄存器实现Flash的保护。
HCU KEY区域
ME0x芯片内置HCU加速模块，可以实现硬件的AES/SHA/SM4运算加速，FLASH模块支持存储32组长度为256bit的AES KEY，软件在使用这些key的时候可以直接将KEY load到HCU模块，这个过程中软件无法读取KEY的值，可以保证KEY的安全性。
在ME0x中，HCU的KEY是通过EFM_CTRL_AES_KEY_SEL域来选择然后发Flash命令读取的，不过后续项目中将这个操作统一成标准Flash command，用户直接给出KEY存储的地址，然后直接通过命令load。因为KEY的load本身也是一个Flash操作，所以执行该命令的时候同样不支持RWW操作，软件需要关闭中断，并在RAM中执行该命令。
NVR操作注意事项
因为NVR区域和block有一定的对应关系，并且block swap还会改动这个对应关系，除非明确软件和NVR不在一个block，否则对于NVR区域的操作还是需要关中断和在RAM中执行。
对于NVR区域的擦除和写入操作的时间与Main Array一致。
最后更新于 2023-06-17 00:30:24 并被添加「」标签，已有 3209 位童鞋阅读过。
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