Kinetis MCU中Flash一般是用来保存中断向量表、用户程序，数据等内容，有的MCU Flash还支持FlexNVM和FlaxRAM。

Flash的一个基本特性就是只能写0，不能写1，所以每次对flash进行写操作的时候都需要先进行擦除操作。所以对Flash的连续编程（中间不擦除）的操作是不支持的。

1. Flash的基本特性

   • 扇区大小为2K
   • 支持写保护
   • 支持访问保护
   • 支持校验算法
   • 支持写时访问

2. FlexRAM基本特性

   • FlexRAM可以用作普通的RAM或者高可用的EEPROM

   • 如果用作EEPROM

     • 支持写保护
     • 自动模拟成EERPOM
     • EEPROM大小可调整
     • 支持1， 2，4字节访问

基本名词

Command write sequence: FLash操作的命令序列；
Data flash memory: 从FlexNVM块分区而来，一般存储用户数据，启动代码或者额外代码。
Data flash secotr: Data Flash擦除的最小单位
EEPROM: Flash 模拟的可以按字节读写的NVM
EEPROM backup data header: EEPROM中一个长度时64bit的数据头，主要保存EEPROM flash sector的状态信息
EEPROM backup data record: 包含7bit 状态信息，13bit地址信息，32bit数据信息，如果上面的头信息有效，那么相应地址的数据会映射到FlexRAM.
EEPROM backup data memory: FlexNVM分区而来，用于保存上述数据
EEPROM backup data sector: 每个sector包含一个头信息和255个数据记录。
Endurance可擦除编程的次数
FlexNVM Block, FlexNVM可以配置成data flash, EEPROM 或者二者同时存在。
FlexRAM: 类似于一个RAM,可以配置为EEROM的数据RAM或者传统RAM，如果配置为EEPROM，那么王FlexRAM中写数据会在EEPROM中生成相应的数据。

最后更新于 2018-09-14 07:39:50 并被添加「」标签，已有 2207 位童鞋阅读过。

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